שפּאָגל נייַ עכט אָריגינעל יק לאַגער עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ יק טשיפּ שטיצן BOM סערוויס DS90UB953TRHBRQ1

1. פארוואס סיליציום פֿאַר טשיפּס?זענען דאָרט מאַטעריאַלס וואָס קענען פאַרבייַטן עס אין דער צוקונפֿט?
די רוי מאַטעריאַל פֿאַר טשיפּס איז ווייפערז, וואָס זענען קאַמפּאָוזד פון סיליציום.עס איז אַ מיסקאַנסעפּשאַן אַז "זאַמד קענען זיין געוויינט צו מאַכן טשיפּס", אָבער דאָס איז נישט דער פאַל.דער הויפּט כעמישער קאָמפּאָנענט פון זאַמד איז סיליציום דייאַקסייד, און דער הויפּט כעמישער קאָמפּאָנענט פון גלאז און ווייפערז איז אויך סיליציום דייאַקסייד.דער חילוק, אָבער, איז אַז גלאז איז פּאָליקריסטאַללינע סיליציום, און באַהיצונג זאַמד ביי הויך טעמפּעראַטורעס ייעלדס פּאָליקריסטאַללינע סיליציום.וואַפערס, אויף די אנדערע האַנט, זענען מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום, און אויב זיי זענען געמאכט פון די זאַמד זיי דאַרפֿן צו זיין ווייַטער פארוואנדלען פון פּאָליקריסטאַללינע סיליציום צו מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום.

וואָס פּונקט איז סיליציום און וואָס קענען זיין געוויינט צו מאַכן טשיפּס, מיר וועלן אַנטדעקן דעם אין דעם אַרטיקל איינער דורך איינער.

דער ערשטער זאַך מיר דאַרפֿן צו פֿאַרשטיין איז אַז סיליציום מאַטעריאַל איז נישט אַ דירעקט שפּרינגען צו די שפּאָן שריט, סיליציום איז ראַפינירט פֿון קוואַרץ זאַמד פון די עלעמענט סיליציום, סיליציום עלעמענט פּראָטאָן נומער ווי דער עלעמענט אַלומינום איינער מער, ווי דער עלעמענט פאָספאָרוס איינער ווייניקער , עס איז ניט בלויז די מאַטעריאַל יקער פון מאָדערן עלעקטראָניש קאַמפּיוטינג דעוויסעס, אָבער אויך מענטשן קוקן פֿאַר עקסטראַטערעסטריאַל לעבן איינער פון די יקערדיק מעגלעך עלעמענטן.יוזשאַוואַלי, ווען סיליציום איז פּיוראַפייד און ראַפינירט (99.999%), עס קענען זיין מאַניאַפאַקטשערד אין סיליציום ווייפערז, וואָס זענען דעמאָלט סלייסט אין ווייפערז.די טינער די ווייפער, די נידעריקער דער פּרייַז פון מאַנופאַקטורינג די שפּאָן, אָבער די העכער די באדערפענישן פֿאַר די שפּאָן פּראָצעס.

דריי וויכטיק סטעפּס אין טורנינג סיליציום אין ווייפערז

ספּאַסיפיקלי, די טראַנספאָרמאַציע פון ​​סיליציום אין ווייפערז קענען זיין צעטיילט אין דרייַ סטעפּס: סיליציום ראַפיינינג און רייניקונג, איין קריסטאַל סיליציום גראָוט און ווייפער פאָרמינג.

אין נאַטור, סיליציום איז בכלל געפֿונען אין די פאָרעם פון סילאַקאַט אָדער סיליציום דייאַקסייד אין זאַמד און גראַוואַל.די רוי מאַטעריאַל איז געשטעלט אין אַן עלעקטריק קרייַזבויגן אויוון ביי 2000 ° C און אין דעם בייַזייַן פון אַ טשאַד מקור, און די הויך טעמפּעראַטור איז געניצט צו רעאַגירן סיליציום דייאַקסייד מיט טשאַד (SiO2 + 2C = Si + 2CO) צו באַקומען מעטאַלערדזשיקאַל מיינונג סיליציום ( ריינקייַט אַרום 98%.אָבער, דעם ריינקייַט איז נישט גענוג פֿאַר דער צוגרייטונג פון עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ, אַזוי עס איז נאָך פּיוראַפייד.די קראַשט מעטאַלערדזשיקאַל מיינונג סיליציום איז קלאָראַנייטיד מיט גאַסאַז פון הידראָגען קלאָרייד צו פּראָדוצירן פליסיק סילאַן, וואָס איז דאַן דיסטילד און קעמאַקלי רידוסט דורך אַ פּראָצעס וואָס גיט הויך ריינקייַט פּאָליסיליציום מיט אַ ריינקייַט פון 99.9999999999% ווי עלעקטראָניש מיינונג סיליציום.

אַזוי ווי טאָן איר באַקומען מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום פֿון פּאָליקריסטאַללינע סיליציום?די מערסט פּראָסט אופֿן איז די דירעקט פּולינג אופֿן, ווו פּאָליסיליקאָן איז געשטעלט אין אַ קוואַרץ קרוסאַבאַל און העאַטעד מיט אַ טעמפּעראַטור פון 1400 ° C געהאלטן בייַ די פּעריפעריע, וואָס טראגט אַ פּאָליסיליקאָן צעשמעלצן.פון קורס, דעם איז פּריסידאַד דורך טונקען אַ זוימען קריסטאַל אין עס און די צייכענונג רוט פירן די זוימען קריסטאַל אין די פאַרקערט ריכטונג בשעת סלאָולי און ווערטיקלי פּולינג עס אַרוף פון די סיליציום צעשמעלצן.די פּאָליקריסטאַללינע סיליציום צעשמעלצן סטיקס צו די דנאָ פון די זוימען קריסטאַל און וואקסט אַרוף אין דער ריכטונג פון די זוימען קריסטאַל לאַטאַס, וואָס נאָך פּולד אויס און קולד וואקסט אין אַ איין קריסטאַל באַר מיט דער זעלביקער לאַטאַס אָריענטירונג ווי די ינער זוימען קריסטאַל.צום סוף, די איין-קריסטאַל ווייפערז זענען טאַמבאַלד, שנייַדן, ערד, טשאַמפערעד און פּאַלישט צו פּראָדוצירן די אַלע-וויכטיק ווייפערז.

דעפּענדינג אויף די שנייַדן גרייס, סיליציום ווייפערז קענען זיין קלאַסאַפייד ווי 6", 8", 12", און 18".די גרעסערע די גרייס פון די ווייפער, די מער טשיפּס קענען זיין שנייַדן אויס פון יעדער ווייפער, און די נידעריקער דער פּרייַז פּער שפּאָן.
2.דריי וויכטיק סטעפּס אין די טראַנספאָרמאַציע פון ​​סיליציום אין ווייפערז

ספּאַסיפיקלי, די טראַנספאָרמאַציע פון ​​סיליציום אין ווייפערז קענען זיין צעטיילט אין דרייַ סטעפּס: סיליציום ראַפיינינג און רייניקונג, איין קריסטאַל סיליציום גראָוט און ווייפער פאָרמינג.

אין נאַטור, סיליציום איז בכלל געפֿונען אין די פאָרעם פון סילאַקאַט אָדער סיליציום דייאַקסייד אין זאַמד און גראַוואַל.די רוי מאַטעריאַל איז געשטעלט אין אַן עלעקטריק קרייַזבויגן אויוון ביי 2000 ° C און אין דעם בייַזייַן פון אַ טשאַד מקור, און די הויך טעמפּעראַטור איז געניצט צו רעאַגירן סיליציום דייאַקסייד מיט טשאַד (SiO2 + 2C = Si + 2CO) צו באַקומען מעטאַלערדזשיקאַל סיליציום ( ריינקייַט וועגן 98%.אָבער, דעם ריינקייַט איז נישט גענוג פֿאַר דער צוגרייטונג פון עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ, אַזוי עס איז נאָך פּיוראַפייד.די קראַשט מעטאַלערדזשיקאַל מיינונג סיליציום איז קלאָראַנייטיד מיט גאַסאַז פון הידראָגען קלאָרייד צו פּראָדוצירן פליסיק סילאַן, וואָס איז דעמאָלט דיסטילד און קעמאַקלי רידוסט דורך אַ פּראָצעס וואָס גיט הויך ריינקייַט פּאָליסיליציום מיט אַ ריינקייַט פון 99.9999999999% ווי עלעקטראָניש מיינונג סיליציום.

אַזוי ווי טאָן איר באַקומען מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום פֿון פּאָליקריסטאַללינע סיליציום?די מערסט פּראָסט אופֿן איז די דירעקט פּולינג אופֿן, ווו פּאָליסיליקאָן איז געשטעלט אין אַ קוואַרץ קרוסאַבאַל און העאַטעד מיט אַ טעמפּעראַטור פון 1400 ° C געהאלטן בייַ די פּעריפעריע, וואָס טראגט אַ פּאָליסיליקאָן צעשמעלצן.פון קורס, דעם איז פּריסידאַד דורך טונקען אַ זוימען קריסטאַל אין עס און די צייכענונג רוט פירן די זוימען קריסטאַל אין די פאַרקערט ריכטונג בשעת סלאָולי און ווערטיקלי פּולינג עס אַרוף פון די סיליציום צעשמעלצן.די פּאָליקריסטאַללינע סיליציום צעשמעלצן סטיקס צו די דנאָ פון די זוימען קריסטאַל און וואקסט אַרוף אין דער ריכטונג פון די זוימען קריסטאַל לאַטאַס, וואָס נאָך פּולד אויס און קולד וואקסט אין אַ איין קריסטאַל באַר מיט דער זעלביקער לאַטאַס אָריענטירונג ווי די ינער זוימען קריסטאַל.צום סוף, די איין-קריסטאַל ווייפערז זענען טאַמבאַלד, שנייַדן, ערד, טשאַמפערעד און פּאַלישט צו פּראָדוצירן די אַלע-וויכטיק ווייפערז.

דעפּענדינג אויף די שנייַדן גרייס, סיליציום ווייפערז קענען זיין קלאַסאַפייד ווי 6", 8", 12", און 18".די גרעסערע די גרייס פון די ווייפער, די מער טשיפּס קענען זיין שנייַדן אויס פון יעדער ווייפער, און די נידעריקער דער פּרייַז פּער שפּאָן.

פארוואס איז סיליציום די מערסט פּאַסיק מאַטעריאַל פֿאַר מאכן טשיפּס?

טעאָרעטיש, אַלע סעמיקאַנדאַקטערז קענען זיין געוויינט ווי שפּאָן מאַטעריאַלס, אָבער די הויפּט סיבות וואָס סיליציום איז די מערסט פּאַסיק מאַטעריאַל פֿאַר מאכן טשיפּס זענען ווי גייט.

1, לויט די ראַנג פון דער ערד ס עלעמענטאַל צופרידן, אין סדר: זויערשטאָף > סיליציום > אַלומינום > פּרעסן > קאַלסיום > סאָדיום > פּאַטאַסיאַם ...... קענען זען אַז סיליציום ראַנגקט רגע, די אינהאַלט איז ריזיק, וואָס אויך אַלאַוז די שפּאָן צו האָבן אַ כּמעט יניגזאָסטאַבאַל צושטעלן פון רוי מאַטעריאַלס.

2, סיליציום עלעמענט כעמישער פּראָפּערטיעס און מאַטעריאַל פּראָפּערטיעס זענען זייער סטאַביל, די ערליאַסט טראַנזיסטאָר איז די נוצן פון סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס צו מאַכן גערמאַניום, אָבער ווייַל די טעמפּעראַטור יקסידז 75 ℃, די קאַנדאַקטיוואַטי וועט זיין אַ גרויס ענדערונג, געמאכט אין אַ פּן קנופּ נאָך די פאַרקערט ליקאַדזש קראַנט פון גערמאַניום ווי סיליציום, אַזוי די סעלעקציע פון ​​סיליציום עלעמענט ווי אַ שפּאָן מאַטעריאַל איז מער צונעמען;

3, סיליציום עלעמענט רייניקונג טעכנאָלאָגיע איז דערוואַקסן, און נידעריק פּרייַז, נאָוואַדייַס די רייניקונג פון סיליציום קענען דערגרייכן 99.9999999999%.

4, סיליציום מאַטעריאַל זיך איז ניט-טאַקסיק און ומשעדלעך, וואָס איז אויך איינער פון די וויכטיק סיבות וואָס עס איז אויסדערוויילט ווי די מאַנופאַקטורינג מאַטעריאַל פֿאַר טשיפּס.